拥有20多年的微电子开发、集成电路封装、高密度封装基板开发和生产经历，是国际上于2003年最早提出并采用改进型半加成技术及超微全铜盲孔填充技术制作高密度封装基板的研究者之一；历任香港应用科学院国家项目基金评审委员、中国863项目评审专家、中国第三代半导体发展项目评审专家等，同时为香港科技大学（HKUST）客座教授，是中国电子封装协会理事和电子封装技术国际会议（ICEPT）技术委员会委员；组织实施项目10余项，申请发明专利超过30项，在封装基板有关国际刊物和会议上发表论文100余篇，是两部专著“高分子表面的重构（surface grafting）”和“先进芯片封装可靠性”的合著者。由于崔成强的杰出研究工作，1992年在世界范围内超过200名最终候选人中脱颖而出，获得久负盛名的李光耀顶尖研究奖，2015年获批“江苏省创新领军人才”和苏州市“姑苏领军人才”。